Analyse arbeitspunktabhängiger Degradierung bei MOS-Transistoren durch NBTI und HCI
Konferenz: edaWorkshop 14 - Tagungsband
13.05.2014 - 14.05.2014 in Hannover, Germany
Tagungsband: edaWorkshop 14
Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Hellwege, Nico; Heidmann, Nils; Peters-Drolshagen, Dagmar; Paul, Steffen (Institut für Theoretische Elektrotechnik und Mikroelektronik (ITEM.me), Universität Bremen, Deutschland)
Inhalt:
Degradierungseffekte wie NBTI und HCI führen zu Änderungen der charakteristischen Eigenschaften von MOS-Transistoren. Es ist daher notwendig, die Auswirkungen der Degradierungen auf Schaltungseigenschaften zu analysieren und zu minimieren. Bestehende Ansätze verwenden meistens Optimierungsalgorithmen oder andere externe Programme und stellen in der Regel keinen Zusammenhang zwischen Schaltungscharakteristik und Degradierung her. Durch Kombination der etablierten gm/Id Entwurfsmethodik und Degradierungssimulationen ist es möglich, Einblicke in die arbeitspunktabhängige Degradierung von MOS-Transistoren zu erhalten und Schaltungstopologien im Hinblick auf Zuverlässigkeit zu entwerfen und zu optimieren. Diese Arbeit beschreibt eine Analyse, die für einen Aging-Aware Entwurfsfluss verwendet werden kann.