On-Chip-Brechungsindexsensoren auf der Grundlage plasmonischer TiN-Nanoloch-Arrays

Inhalt:
In dieser Arbeit werden Ergebnisse zum Entwurf und zur Herstellung von Brechungsindexsensoren vorgestellt, die auf plasmonischen TiN-Nanolocharrays (NHAs) in Kombination mit Ge-Photodetektoren basieren. Wir erörtern die optischen Eigenschaften von plasmonischen TiN-NHAs, die mit industriellen Standardverfahren hergestellt werden. Darüber hinaus stellen wir Ergebnisse zu Ge-Photodetektoren vor, die mit Standardprozessen am Leibniz-Institut für Hochleistungsmikroelektronik (IHP) hergestellt wurden und die Produktion von großen PIN-Ge-Dioden auf Si-Wafern ermöglichen. Unsere Ergebnisse können den Weg zur großtechnischen Produktion von Brechungsindexsensoren für Anwendungen von der Umweltüberwachung bis zur Point-of-Care-Diagnostik ebnen.