Tuning der Schwellspannung und Kanalmobilität von Galliumnitrid-MOSFETs mittels Abscheidetemperatur des Gate-Dielektrikums
Konferenz: MikroSystemTechnik Kongress 2023 - Kongress
23.10.2023-25.10.2023 in Dresden, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2023
Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF
Autoren:
Henn, Mirjam (Robert Bosch GmbH, Advanced Technologies and Micro Systems, Renningen, Deutschland & Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente, Bremen, Deutschland)
Huber, Christian (Robert Bosch GmbH, Advanced Technologies and Micro Systems, Renningen, Deutschland)
Inhalt:
Metall-Oxid-Halbleiter Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs) wurden auf heteroepitaktischen Galliumnitrid-Schichten auf Siliziumwafern hergestellt. Es wurde gezeigt, dass die Abscheidetemperatur des Gate-Dielektrikums das Transistorver- halten grundlegend beeinflusst. Die Anpassung der Abscheidetemperatur unterbzw. über die GaN-Zersetzungstemperatur führte zu einer Änderung der Kanalmobilität von 17 bis 55 cm2/Vs bei Schwellspannungen von 8.0 bis -3.2 V. Darüber hinaus wurde der Einfluss der Dotierungskonzentration der p-body Schicht untersucht.