Elektrische Spin-Injektion in kantenemittierenden Halbleiterlasern
Konferenz: MikroSystemTechnik Kongress 2023 - Kongress
23.10.2023-25.10.2023 in Dresden, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2023
Seiten: 5Sprache: DeutschTyp: PDF
Autoren:
Jung, Natalie; Lindemann, Markus; Gerhardt, Nils. C.; Hofmann, Martin R. (Photonik und Terahertztechnologie, Ruhr-Universität Bochum, Deutschland)
Ritzmann, Julian; Ludwig, Arne; Wieck, Andreas (Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Deutschland)
Webers, Samira; Salamon, Soma; Wende, Heiko (Fakultät für Physik & Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE), Universität Duisburg-Essen, Deutschland)
Inhalt:
Die Spintronik nutzt den Spin des Elektrons und ermöglicht somit die Entwicklung neuer, einzigartiger Bauelemente. Dabei haben sich Spin-Laser, die Spin und Polarisation anstelle von Strom und Intensität nutzen, als vielversprechende Bauelemente herausgestellt. Sie steuern ihren Polarisationszustand durch den Spin-Zustand der Ladungsträger, was zu einem Spin-kontrollierten zirkularen Polarisationsgrad führt. Hier untersuchen wir elektrische Spin-Injektion bei Raumtemperatur in kantenemittierenden Laserstrukturen. Die Laserstruktur basiert auf einer Doppelheterostruktur mit einer 140nm dicken aktiven Schicht aus GaAs, um die optischen Auswahlregeln für GaAs Volumenhalbleiter ausnutzen zu können. Zur elektrischen Spin-Injektion wird eine ferromagnetische Fe-Schicht und eine MgO Tunnelbarriere auf die Oberseite aufgewachsen.