Plasmaunterstützte Atomlagenabscheidung (ALD) von Al2O3 für Isolationsschichten in EWOD-Systemen

Inhalt:
Dieser Beitrag befasst sich mit der Herstellung und Integration von nanoskaligen Al2O3-Isolationsschichten in EWOD-Systemen. Dazu wird die plasmaunterstütze Atomlagenabscheidung genutzt, die sowohl ein kontrolliertes Wachstum der Isolationsschicht ermöglicht und gleichzeitig die Anforderung an eine hohe Durchschlagsfestigkeit und pinholefreiheit erfüllt. Es werden die maximale Betriebsspannung, sowie Funktionsparameter wie Kontakwinkeländerung und Übergangsgeschwindigkeiten der aktuierten Flüssigkeit gemessen um die Funktionalität des nanoskaligen Dielektrikums innerhalb des hergestellten Mirkroaktorsystems zu überprüfen.