Erhöhung des Technologie-Reifegrades von Silicium-Gras zur Breitbandigen Entspiegelung von Siliciumoberflächen
Konferenz: Mikro-Nano-Integration - 9. GMM-Workshop
21.11.2022 - 22.11.2022 in Aachen, Germany
Tagungsband: GMM-Fb. 105: Mikro-Nano-Integration
Seiten: 5Sprache: DeutschTyp: PDF
Autoren:
Hillebrand, Marius; Thewes, Anna Christina; Hoffmann, Martin (Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl für Mikrosystemtechnik, Bochum, Deutschland)
Bindel, Luisa; Isserstedt-Trinke, Annett; Biermann, Steffen (Micro-Hybrid Electronic GmbH, Hermsdorf, Deutschland)
Gassner, Simon; Travan, Caterina; Glock, Ulrike (Infineon Technologies AG, Neubiberg, Deutschland)
Inhalt:
Zur breitbandigen Entspiegelung von Silicium-Oberflächen im Infrarotbereich wurde eine nicht-periodische, nadelförmige Oberflächenstrukturierung (Silicium-Gras) mittels eines modifizierten Tiefenätzprozesses (Deep-Reactive-Ion-Etching DRIE-Prozess) vorgenommen. Die Proben wurden anschließend hinsichtlich ihres Transmissionsgrades in einem Wellenlängenbereich von 2 µm bis 25 µm vermessen. Damit erreichen Substrate, die eine beidseitige Oberflächenstrukturierung erhalten haben, bereits einen Transmissionsgrad bis über 80%. Da der Herstellungsprozess über Standardverfahren der Mikrosystemtechnik erfolgt, wurde in einem zweiten Schritt eine Erhöhung des technologischen Reifegrades (Technological Readiness Level – TRL) durch eine Skalierung zur Verwendung von Substraten mit einem Durchmesser von 200 mm erreicht. Zur Überwachung der Prozesse wird eine optische Emissionsspektroskopie (OES) bestimmter Plasmaspezies durchgeführt, deren Konzentration im Plasma Aufschluss über den aktuellen Prozesszustand liefert.