Thermisch und elektrisch optimiertes Leiterplatten-Prepackage für 100V/100A GaN Leistungshalbleiter
Konferenz: MikroSystemTechnik Kongress 2021 - Kongress
08.11.2021 - 10.11.2021 in Stuttgart-Ludwigsburg, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2021
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
Autoren:
Huesgen, Till; Sharma, Ankit Bhushan (Electronics Integration Lab, University of Applied Science Kempten, Germany)
Weimer, Julian; Koch, Dominik; Kallfass, Ingmar (Institute of Robust Power Semiconductor Systems, University of Stuttgart, Germany)
Inhalt:
In dieser Arbeit wird ein Integrationskonzept für GaN Leistungshalbleiter in Leiterplattentechnologie vorgestellt. Das Konzept beruht auf thermisch optimierten Prepackages mit integrierten Temperatursensoren, die in Leiterplattenembeddingtechnologie hergestellt werden. Durch ein asymmetrisches Layout wird ein niederinduktiver Kommutierungskreis ermöglicht. Funktionsmuster mit einem 100 V / 120 A GaN HEMT wurden aufgebaut und erprobt. Die Bauteile sind elektrisch voll funktionsfähig und weisen einen thermischen Widerstand von 3,34 K/W auf. Dieser Wert liegt 35% unter dem eines kommerziellen Referenzbauteils.