Mikromechanisch strukturierter, CMOS-kompatibler pyroelektrischer Detektor auf der Basis von dotiertem HfO2 in Trenchzellen
Konferenz: MikroSystemTechnik Kongress 2021 - Kongress
08.11.2021 - 10.11.2021 in Stuttgart-Ludwigsburg, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik Kongress 2021
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
Autoren:
Mutschall, Doris; Kaiser, Alena; Lehmkau, Robin; Ebermann, Martin; Neumann, Norbert (InfraTec GmbH, Dresden, Deutschland)
Mart, Clemens; Eßlinger, Sophia; Neuber, Markus; Weinreich, Wenke (Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS-CNT, Dresden, Deutschland)
Hiller, Karla; Seiler, Jan (Technische Universität Chemnitz, Zentrum für Mikrotechnologien, Chemnitz, Deutschland)
Großmann, Toni D.; Shaporin, Alexey (Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Chemnitz, Deutschland)
Günther, Wolfgang (AMAC ASIC- und Mikrosensoranwendung Chemnitz GmbH, Chemnitz, Deutschland)
Inhalt:
Trenchstrukturen mit hohem Aspektverhältnis wurden erstmalig angewandt, um in Detektoren die pyroelektrische Stromempfindlichkeit einer mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachten dünnen, modifizierten Hafniumoxidschicht zu vervielfachen. Mikromechanische Strukturierung der Silizium-Wafer zur Verbesserung der Temperaturempfindlichkeit sowie die Strukturierung effektiver plasmonischer Absorber für den Spektralbereich 3 - 5 µm befähigen zur CMOS-kompatiblen Massenfertigung pyroelektrischer Detektoren.