Der feldstärkeabhängige Alterungsmechanismus in SiO2-Nanopartikel gefüllten Hochspannungsisolationen
Konferenz: VDE Hochspannungstechnik - ETG-Fachtagung
09.11.2020 - 11.11.2020 in online
Tagungsband: ETG-Fb. 162: VDE Hochspannungstechnik
Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF
Autoren:
Lang, Steffen; Müller, Niels (Siemens AG Corporate Technology, Erlangen, Deutschland)
Inhalt:
An einer glimmerhaltigen Hochspannungsisolation für elektrische rotierende Maschinen wird der Einfluss von SiO2-Nanopartikel auf das Degradationsverhalten untersucht. In Abhängigkeit von der anliegenden Feldstärke werden zwei unterschiedliche Degradationsmechanismen vorgeschlagen. Bei hohen Feldstärken dominiert der Treeing-Mechanismus die Alterung der Isolation. Bei kleinen Feldstärken bildet sich eine stabile, poröse Schutzschicht aus Nanopartikeln aus, die die elektrische Lebensdauer der Isolation deutlich erhöht. An REM-Aufnahmen wird die Schutzschicht bei unterschiedlichen Degradationsfeldstärken an glimmerfreien Prüfkörpern untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass ab einer gewissen Feldstärke die poröse Schutzschicht zerstört wird und ihre lebensdauerverlängernde Wirkung verliert.