Design mehrstufiger ballistischer Injektionsgleichrichter auf Si/SiGe-Heterostrukturen

Konferenz: Mikro-Nano-Integration - 8. GMM-Workshop
15.09.2020 - 17.09.2020 in Online

Tagungsband: GMM-Fb. 97: Mikro-Nano-Integration

Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF

Autoren:
Niedworok, Nina; Kunze, Ulrich (Forschungsgruppe Werkstoffe und Nanoelektronik, Ruhr-Universität Bochum, Bochum, Deutschland)

Inhalt:
Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines effizienten Multiinjektionsgleichrichters basierend auf dem Effekt der trägheitsballistischen Vollwellengleichrichtung. Vorbereitend wurden Design-Strukturen auf Silizium-Substraten hergestellt, deren Ergebnisse auf Si/SiGe-Heteroschichten übertragen werden. Hier werden die Prozessschritte vorgestellt, ebenso die Design-Variation und Optimierung mithilfe der Software ELPHY Plus. Es wurden vier Injektorbreiten mit je vier verschiedenen Injektorabständen realisiert. Die Abstände beeinflussen das Ätzverhalten. Die Abnahme der Injektorbreite durch den Ätzprozess wird erörtert. Die Design-Variation ermöglicht eine schnelle Design-Anpassung, falls diese sich aus den Ergebnissen der nachfolgenden Messungen als notwendig erweist.