Toleranzanalyse für photonische Kristalle aus Silizium
Konferenz: MikroSystemTechnik 2019 - Kongress
28.10.2019 - 30.10.2019 in Berlin, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik 2019
Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF
Persönliche VDE-Mitglieder erhalten auf diesen Artikel 10% Rabatt
Autoren:
Baldauf, Julia; Thronicke, Nicole; Ortlepp, Thomas (CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Erfurt, Deutschland)
Inhalt:
Der Einfluss der Rauheit der Seitenwände und der Verkippung von photonischen Kristallen aus Silizium auf das resultierende Absorptionsspektrum im infraroten Spektralbereich wurde mittels Simulationen ermittelt. Dabei konnte gezeigt werden, inwiefern die Ausprägung der Ausbuchtungen der Seitenwände das Absorptionsspektrum beeinflusst. Für Verkippungen der photonischen Kristallstruktur gegenüber der Ausbreitungsrichtung des Lichtes konnten erst bei Verkippungen um mehr als 10 Grad signifikante Änderungen im Absorptionsspektrum der untersuchten Strukturen festgestellt werden.