Entwicklung einer neuartigen nichtflüchtigen Speichertechnologie für zukünftige Automobilanwendungen
Konferenz: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
26.10.2015 - 28.10.2015 in Karlsruhe, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik 2015
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Wenger, Ch. (IHP GmbH – Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik, 15236 Frankfurt/Oder, Deutschland)
Hildebrandt, E.; Vogel, S.; Sharath, S. U.; Alff, L. (Technische Universität Darmstadt, 64287 Darmstadt, Deutschland)
Inhalt:
Die Integration neuartiger nichtflüchtiger Speicher (NVM) erfordert CMOS kompatible Materialien. HfO2 ist ein geeigneter Kandidat, welcher das resistive Schalten in CMOS basierten Bauelementen für eine neue nichtflüchtige Speichertechnologie ermöglicht. Die Untersuchung des Schaltverhaltens in integrierten Bauelementen als auch in Speicherarrays ist Gegenstand dieser Arbeit.