MOSFET-Dimensionierung zur Verbesserung der Lebensdauer analoger Schaltungen
Konferenz: ANALOG 2014 – Analogschaltungen im Systemkontext - Beiträge der 14. GMM/ITG-Fachtagung
17.09.2014 - 19.09.2014 in Hannover, Deutschland
Tagungsband: ANALOG 2014 – Analogschaltungen im Systemkontext
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Habal, Husni; Gräb, Helmut (Lehrstuhl f ür Entwurfsautomatisierung, Technische Universität München, 80333 München, Deutschland)
Inhalt:
Es wird eine Formulierung zur Schaltkreisdimensionierung vorgestellt, mit der die Ausbeute über eine vorgegebene Lebensdauer maximiert wird. Dabei wird die Degradation der MOSFET-Einsatzspannung bedingt durch bias temperature instability berücksichtigt. Der Ansatz wird am Beispiel eines Operationsverstärkers und mittels des Vergleichs mit einer Ausbeuteoptimierung ohne Berücksichtigung der Alterung validiert.