Zuverlässigkeit von mittels Niedertemperatur-Verbindungstechnik (NTV) gesinterten Silberschichten
Konferenz: Elektronische Baugruppen und Leiterplatten - EBL 2012 - Hochentwickelte Baugruppen in Europa - 6. DVS/GMM-Tagung
14.02.2012 - 15.02.2012 in Stuttgart, Deutschland
Tagungsband: Elektronische Baugruppen und Leiterplatten - EBL 2012
Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Früh, Christiane; Günther, Michael (Robert Bosch GmbH, Schwieberdingen, Deutschland)
Nowottnick, Mathias (Universität Rostock, Institut für Gerätesysteme und Schaltungstechnik, Deutschland)
Inhalt:
Im Rahmen dieser Arbeit wird die Zuverlässigkeit von gesinterten Silberschichten untersucht. Für die Verbindung eines Siliziumchips auf Kupferstanzgitter existieren bisher keine Lebensdauerdaten. Aus diesem Grund werden mittels eines passiven Temperaturwechseltests erste Werte ermittelt. Es wird die Abnahme der mechanischen Scherfestigkeit sowie der Rissfortschritt mittels Ultraschallmikroskopie bewertet. Eine Abhängigkeit der Zuverlässigkeit der Sinterschicht vom Prozessdruck wird beschrieben. Abschließend werden die Grenzen der NTV hinsichtlich der Lebensdauer aufgezeigt.