Membran- und Cantileverherstellung mittels ICP-Kryo-Tiefenätzverfahren aus Silizium-Bulk-Material

Inhalt:
ICP-RIE Kryo-Trockenätzprozesse wurden genutzt, um Membranen und Cantilever von wenigen 10 µm aus Bulk-Silizium zu realisieren. Hierfür wurden Wafer mehrere 100 µm tief geätzt. Das Auftreten von grey silicon und Seitenwandätzen wurde durch die Optimierung von Prozessparametern (Zeit, Gasanteil des Sauerstoffes und Temperatur) vermindert. Zur weiteren Reduzierung von Grey Silicon wurde ein Oxidationsschritt mit anschließender Flusssäurebehandlung (HF-Dipp) genutzt. Das hier vorgestellte Verfahren ermöglicht die Nutzung von Bulk-Material anstelle von SOI-Wafern. Damit verringern sich nicht nur die Materialkosten spürbar, sondern es entsteht ein zusätzlicher Freiheitsgrad in der topografischen Gestaltung der geätzten Seite der Membran.