Monolothisch integrierte GMR/TMR Sensoren für Automobilanwendungen

Inhalt:
Es wird ein Prozess vorgestellt zur monolithischen Integration von magnetoresistiven (AMR/GMR/TMR) Strukturen in CMOS oder Bipolar Halbleitertechnologien zur Fertigung von Magnetfeldsensoren für Automobilanwendungen. Dieser Prozess stellt topologiefreie Kontaktbereiche für das xMR-Schichtsystem zur darunterliegenden Verdrahtungsmetallisierung bereit, die höchst zuverlässige und reproduzierbare Verbindungen ermöglichen. Das Integrationskonzept erlaubt ferner eine einfache Fertigung von TMR-Sensorelementen, die in der CIP-Konfiguration betrieben werden können. Dadurch werden im Vergleich zur GMR-Technologie höhere Signalhübe bei gleichzeitig erhöhtem spezifischen Widerstand erzielt. Die monolithische Integration von xMR-Elementen ermöglicht die Realisierung intelligenter und zuverlässiger Sensorsysteme mit sehr geringen Störgrößen und großer Robustheit gegenüber äußeren Störsignalen.