Si Stencil-Masken für die Herstellung organischer Dünnschicht-Transistoren
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2011
10.10.2011 - 12.10.2011 in Darmstadt, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Letzkus, F.; Zaki, T.; Richter, H.; Butschke, J.; Burghartz, J. N. (Institut für Mikroelektronik Stuttgart, Allmandring 30a, 70569 Stuttgart, Deutschland)
Klauck, H.; Ante, F. (Max Plank Institut für Festkörperphysik, Heisenbergstrasse 1, 70569 Stuttgart, Deutschland)
Inhalt:
In dieser Arbeit wird ein Prozess zur Fertigung von großflächigen Si Stencil-Masken auf der Basis von SOI-(Silicon on Insulator)Wafern für die Stencil-Lithografie von organischen Dünnschicht-Transistoren (OTFTs) vorgestellt. Komplette Maskensätze für die Fertigung von organischen n- und -p-Typ Transistoren mit jeweils vier Beschichtungsebenen und 0,5 µm breiten Stencil-Minimalstrukturen konnten realisiert werden. OTFTs mit 0,8 µm minimaler Kanallänge wurden mithilfe dieser Si Stencil-Masken erfolgreich gefertigt und abschließend elektrisch charakterisiert.