1.55 m Quantenpunktmaterial mit erhöhter spektraler Verstärkung für Kommunikationslaser und optische Halbleiterverstärker (SOAs)
Konferenz: Photonische Netze - 12. ITG-Fachtagung
02.05.2011 - 03.05.2011 in Leipzig, Germany
Tagungsband: Photonische Netze
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Ivanov, Vitalii; Gilfert, Christian; Oehl, Nikolas; Reithmaier, Johann Peter (Technische Physik, Institut für Nanostrukturtechnologie und Analytik (INA), Universität Kassel, Kassel, Deutschland)
Inhalt:
Eine neue Klasse von Quantenpunkt (QP) -schichten mit optimierter Geometrie wurde mittels Molekularstrahlepitaxie im Materialsystem InAs/InAlGaAs/InP hergestellt. Hierbei kommt ein spezieller Wachstumsmodus unter Zuhilfenahme von Arsendimeren zum Einsatz. Dies führt zu verringerten Größenfluktuationen des QP-Ensembles. Mit diesem Verfahren konnten Rekordwerte der inhomogenen Linienverbreiterung von 23 meV bei einer Emissionswellenlänge von 1550 nm gemessen werden. Halbleiterlaser auf der Basis dieses neuartigen QP-Materials zeigen im Vergleich zu Lasern mit bisher meist genutzten "Quantendash"-Materialien, eine deutlich erhöhte modale Verstärkung. Erstmals konnten modale Verstärkungen von 10 cm-1 pro QP-Schicht gemessen werden. Dies ist eine Verbesserung um einen Faktor 2 bis 3 gegenüber herkömmlichen "Quantendash"-Lasern und kann direkt der reduzierten Linienbreite zugeordnet werden.