Integration von nanoskaligen Feldeffekttransistoren mit Zinkoxid-Nanopartikeln auf Glassubstrat
Konferenz: Mikro-Nano-Integration - 3. GMM-Workshop
03.03.2011 - 04.03.2011 in Stuttgart, Deutschland
Tagungsband: Mikro-Nano-Integration
Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Assion, Fabian; Wolff, Karsten; Hilleringmann, Ulrich (Universität Paderborn - Fachgebiet Sensorik, Paderborn, Deutschland)
Inhalt:
Zinkoxid (ZnO) ist ein zukunftsträchtiges Halbleitermaterial für die Realisierung von transparenten, flexiblen, elektronischen Schaltungen. Als Grundlage für druckbare low-cost/low-performance Bauelemente wurden Transistoren durch Aufschleudern einer ZnO-Nanopartikel-Dispersion auf Metall-Nanograben-Strukturen integriert. Diese sind sowohl in Bottom- als auch in Top-Gate-Architektur auf Glassubstrat erstellt worden. Da der Integrationsprozess auf flexible Substrate ausgerichtet ist, wurde die Prozesstemperatur auf 150 °C begrenzt. Die Strommodulation von ION/IOFF = 250 eines Schottky-FET ist erwartungsgemäß gering aufgrund bekannter parasitärer Effekte. Bei Verwendung eines Niedertemperatur- PECVD-SiO2 als Gate-Dielektrikum zeigt sich ein Hysterese-Effekt. Transistoren der Top-Gate-Variante zeigen Ladungsträgerbeweglichkeiten von μ = 2,72·10(exp ?3) cm2/(Vs).