Parameterextraktion VRH-basierter Modelle für organische Feldeffekttransistoren

Inhalt:
Ein wichtiger Schritt bei der Anwendung von Modellen ist die Extraktion der Modellparameter anhand von Messdaten. Die in dieser Veröffentlichung vorgestellte Methode beschreibt einen analytisch-geometrischen Ansatz, mit dem Ziel, die Parameter eines VRHbasierten Transistormodells (Variable Range Hopping) für gedruckte organische Transistoren mit einer möglichst geringen Zahl an Messpunkten zu bestimmen. Insbesondere werden dabei Iterations- und Optimierungsschritte oder eine globale Kurvenanpassung vermieden.