Tiefenlithographieprozess für SU-8-Dickschicht-Funktionsstrukturen auf FR4-Leiterplattenmaterial
Konferenz: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik - 2. GMM-Workshop
10.05.2010 - 11.05.2010 in Darmstadt, Germany
Tagungsband: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Kohlstedt, Anika; Schlaak, Helmut F. (Technische Universität Darmstadt, Institut für Elektromechanische Konstruktionen, Merckstr. 25, 64283 Darmstadt, Deutschland)
Inhalt:
Die photolithographische Dickschichtprozessierung ermöglicht eine prozessintegrierte Fertigung mikroaktorischer Komponenten aus SU-8, wie sie z. B. für steuerbare Hochfrequenzkomponenten eingesetzt werden können. In dieser Arbeit wird erstmals ein Fertigungsprozess für gegossene SU-8-Dickschichten auf FR4-Leiterplattenmaterial vorgestellt. Durch die Verwendung von FR4 als Substrat können die Spannungen an den Materialgrenzen minimiert und somit die Haftung der SU-8-Strukturen stark verbessert werden. Auf Basis eines etablierten Gießprozesses für SU-8-Dickschichten auf Silizium wird ein optimierter Fertigungsprozess auf FR4 für Schichtdicken zwischen 500 µm und 1 mm entwickelt. Durch dieses Verfahren wird ein maximales Aspektverhältnis von 30:1 erreicht.