Anwendung des ICP-DRIE-Kryotrockenätzprozesses für anisotrope Strukturen in Silizium
Konferenz: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik - 2. GMM-Workshop
10.05.2010 - 11.05.2010 in Darmstadt, Germany
Tagungsband: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik
Seiten: 5Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Sökmen, Ü.; Fündling, S.; Merzsch, S.; Stranz, A.; Neumann, R.; Li, S. F.; Wehmann, H.-H.; Peiner, E.; Waag, A. (Institut für Halbleitertechnik, Technische Universität Braunschweig, Hans-Sommer-Str. 66, 38106 Braunschweig, Deutschland)
Inhalt:
Der ICP-Kryotrockenätzprozess wird häufig für die Mikro- und Nanostrukturierung von Silizium genutzt. Für die Nanostrukturierung entwickelten wir einen Prozess mit einer Ätzrate von 13 nm/min bei -75 °C. Bei -95 °C fanden wir einen Prozess mit einer Ätzrate zwischen 2,8 µm/min und 4 µm/min zum Ätzen von Submikrometer-Säulen in Silizium. Mit einer Ätzrate von 3 µm/min konnten wir Siliziumbiegebalken herstellen. Für diese Herstellung wurde beidseitiges Ätzen der Siliziumwafer angewandt. Beim Ätzen der Rückseite bei -75 °C wurde eine Membran erzeugt. Bei -95 °C wurde diese Membran von der Vorderseite geätzt, um die Biegebalken von der Membran freizulegen. Der ICP-Kryotrockenätzprozess erlaubt wegen der hohen Ätzselektivität zwischen Fotolack und Silizium zudem die Verwendung der technisch weniger aufwendigen Fotolithographie zur Strukturierung von Silizium.