Untersuchung der Aktivierungseffekte durch DBD bei Atmosphärendruck für das Tieftemperatur-Direktbonden
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
12.10.2009 - 14.10.2009 in Berlin
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Michel, Benedikt; Klages, Claus-Peter (Institut für Oberflächentechnik, Braunschweig, Germany)
Eichler, Marko; Klages, Claus-Peter (Fraunhofer Institut für Schicht- und Oberflächentechnik, Braunschweig, Germany)
Inhalt:
Die dielektrische Barrierenentladung (DBD) kann in Silizium-Direktbondprozessen zu einer drastischen Reduzierung der erforderlichen Annealingtemperatur beitragen. Verschiedene Effekte, welche mit der direkten Einwirkung der Barrierenentladung auf die native Siliziumoxidoberfläche in Verbindung stehen und zur Erklärung des Aktivierungseffektes beitragen können, werden in diesem Beitrag vorgestellt.