Flip-Chip Technologie mit neuartigen UBM für die Ankontaktierung von Transistoren in III/V-Technologie

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Die Flip-Chip Technologie zur Montage von Halbleiterbauelementen weist gegenüber der Drahtbondtechnik viele Vorteile auf. Durch kürzere Leitungswege und die Möglichkeit, Bumps auf der gesamten Chipfläche anzuordnen, verbessern sich gegenüber der Drahtbondmontage die elektrischen Eigenschaften des Aufbaus. Wesentlich für die zuverlässige Funktion der Verbindung ist das Design und die technologische Realisierung der „Under Bump Metallisierung“ (UBM). Bei der Herstellung der UBM dominieren bisher nasschemische Verfahren, wie beispielsweise galvanische oder außenstromlose Abscheidungen in wässrigen Elektrolyten. Sie lassen sich jedoch nur schwer in eine bestehende III/V-Halbleiter Technologie integrieren. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Entwicklung und Qualifizierung der neuartigen Ni-basierten UBM-Technologie ausschließlich mittels „Physical Vapour Deposition“ (PVD)-Verfahren.