Einfluss der Abscheideparameter auf die Mikrostruktur von Silberdünnfilmen auf LTCC
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
12.10.2009 - 14.10.2009 in Berlin
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Bittner, A.; Klein, S.; Seidel, H. (Universität des Saarlandes, Lehrstuhl für Mikromechanik, Mikrofluidik / Mikroaktorik, 66123 Saarbrücken)
Schwanke, D. (Micro System Engineering GmbH, ENS, 95180 Berg)
Schmid, U. (Technische Universität Wien, Institut für Sensor und Aktuatorsysteme, Abteilung Mikrosystemtechnik, Floragasse 7, 1040 Wien, Österreich)
Inhalt:
Silber (Ag) wird als weitere Standardmetallisierung neben Gold für LTCC- (Low Temperature Cofired Ceramics) Substrate zunehmend interessanter und wird üblicherweise als Dickschicht in Siebdrucktechnik aufgebracht. Die damit erzielbaren minimalen Strukturbreiten von ca. 50 µm reichen für viele Hochfrequenzanwendungen auf Grund der kurzen Wellenlängen nicht mehr aus. Als Alternative wird der Einsatz von Dünnfilmtechniken betrachtet, die bisher auf LTCC nicht etabliert sind. Um die sehr guten elektrischen Eigenschaften von Silber auch als Dünnfilm auf LTCC nutzen zu können, wird in dieser Arbeit der Einfluss der Abscheideparameter auf die elektrischen Eigenschaften, sowie auf die Mikrostruktur der Dünnfilme mittels REM, AFM und XRD untersucht. Die mittlere Korngröße betrug durchgängig 33 nm Der Anteil der in [111]-Richtung orientierten Körner und damit die elektrische Leitfähigkeit steigen mit der Plasmaleistung an. Bei Temperaturbehandlung bis 500Grad C, durch die ein Kornwachstum verursacht wird, sinkt der spezifische Widerstand der gesputterten Schichten maximal um einen Faktor 2. Bei höheren Temperaturen agglomeriert und sublimiert das Silber, wodurch der Widerstand bis zum kompletten Ausfall der Schicht ansteigt.