Beobachtung des unterkritischen Risswachstums in elektronischen Package-Materialien durch den Einsatz der IR-Thermographie
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
12.10.2009 - 14.10.2009 in Berlin
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
May, D.; Wunderle, B.; Schacht, R.; Michel, B. (MicroMaterials Center Berlin, Fraunhofer IZM, Berlin, Germany)
Wunderle, B. (TU Chemnitz, Germany)
Schacht, R. (Fachhochschule Lausitz (University of Applied Sciences Lausitz), Senftenberg, Germany)
Inhalt:
Unter Ausnutzung des thermo-elastischen Effekts werden mit Hilfe eines IR-Kamerasystems mechanische Spannungen sichtbar gemacht. Die Spannungskonzentrationen an der Spitze eines unterkritisch wachsenden Risses konnte damit detektiert werden. Durch die Beobachtung während der periodischen Belastung einer CT-Probe lässt sich eine für die Zuverlässigkeitsuntersuchungen entscheidende Größe ermitteln, die Rissfortschrittsgeschwindigkeit. Dazu wird eine speziell entwickelte Belastungseinrichtung vorgestellt, mit der auch die für die Systemintegration sehr wichtige Materialklasse der Polymere untersucht werden können. Erste vielversprechende Ergebnisse werden vorgestellt.