Plasma-unterstütztes Aufdampfverfahren zur Herstellung Dünner Hermetischer Borosilikatglasschichten im Wafer-Level-Packaging
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
12.10.2009 - 14.10.2009 in Berlin
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Maus, S.; Hansen, U.; Leib, J. (MSG Lithoglas AG, Gustav-Meyer-Allee 25, 13355 Berlin)
Töpper, M. (Fraunhofer IZM, Gustav-Meyer-Allee 25, 13355 Berlin)
Inhalt:
Borosilkatglas eignet sich durch seine hervorragenden Materialeigenschaften in besonderer Weise für den Einsatz als Werkstoff in der Mikrotechnik. Es ist thermisch und chemisch sehr beständig, verfügt über sehr gute elektrische Eigenschaften und bildet eine zuverlässige Barriere für Feuchte und Gase. Mit dem hier vorgestellten plasmagestützten Lithoglas- Prozess können dünne hochzuverlässige Glasschichten im Bereich von wenigen 100 nm bis zu einigen 10 µm bei hohen Abscheideraten direkt auf z.B. Halbleitersubstrate abgeschieden werden. Die Substrattemperatur liegt hierbei nicht höher als 100 °C und ermöglicht so die additive Strukturierung der Borosilkatglasschichten durch den Lift-Off einer Photolackmaskierung. Dieser einzigartige, CMOS-kompatible Lithoglas-Prozess eignet sich für eine Vielzahl von hochzuverlässigen Anwendungen im Bereich der Halbleitertechnik, MEMS und Medizintechnik.