Laser Scanner Lokalisierungsmethode für die schnelle Analyse von DRAM Komponenten

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Die zwei gezeigten Verfahren heißen TIVA (Thermally Induced Voltage Alteration) und OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance Change): dabei wird eine konstante Strom- oder Spannungsquelle an das Device Under Test (DUT) angelegt, während Spannung bzw. Strom gemessen wird. Die Lokalisierung der Defekte erfolgt mit einem Laser Scanning Mikroskop nach einer rückseitigen Präparation der Komponenten. Das DUT wird mit einem infraroten (1.3Mikrometer) Laserstrahl abgerastert, der den DRAM lokal aufheizt, jedoch ohne Ladungsträger zu generieren. Das reflektierte Licht wird als Signal für ein Abbildungssystem verwendet, so dass eine optische Abbildung der DRAM Komponente aufgenommen wird. Andererseits kann ein elektrisches Signal verwendet werden, um eine Spannungs- oder Stromänderung des DUT auf der Position des Laserstrahls als ein elektrisches Bild aufzuzeichnen. Ein auf Temperatur empfindlich reagierender Defekt wird dabei einen Fleck in dem elektrischen Bild hervorrufen. Bei Überlagerung des optischen und des elektrischen Bildes kann dann die Defektposition leicht identifiziert werden.