Ultrakompakte gekrümmte photonische Drähte für monolithisch integrierbare Lichtführung auf III/V-Halbleiter
Konferenz: Photonische Netze - 7. ITG-Fachtagung
27.04.2006 - 28.04.2006 in Leipzig, Germany
Tagungsband: Photonische Netze
Seiten: 3Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Schuller, Ch.; Wolf, A.; Höfling, S.; Forchel, A. (Technische Physik, Julius-Maximilians-Universität Würzburg, 97074 Würzburg)
Reithmaier, J. P. (Institut für Nanostrukturtechnik und Analytik, Technische Physik, Universität Kassel, 34109 Kassel)
Etrich, C.; Lederer, F. (Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, 07743 Jena)
Inhalt:
Gekrümmte photonische Drähte besitzen aufgrund ihrer kompakten Abmessungen das Potenzial für Schlüsselkomponenten integrierter optischer Schaltkreise. Auf der Basis von AlGaAs/GaAs-Halbleitern wurden verschiedene tiefgeätzte Umlenkgeometrien für eine 90Grad-Richtungsänderung mit Umlenkradien kleiner als 1 µm realisiert. Für eine kreisförmige 90Grad-Krümmung (Viertelkreis) wurde in Übereinstimmung mit Rechnungen nach der 3D-Finite-Difference-Time-Domain-Methode (FDTD) bei einer Drahtbreite von 490 nm und einem Krümmungsradius von 2.0 µm eine Transmission von 99 % (Dämpfung: 0.03 dB) pro Krümmung für Licht der Wellenlänge 1.55 µm erzielt.