DIN EN 61646 VDE 0126-32:2009-03
Terrestrische Dünnschicht-Photovoltaik(PV)-Module
Bauarteignung und Bauartzulassung
(IEC 61646:2008); Deutsche Fassung EN 61646:2008
Art/Status:
Norm,
zurückgezogen
Ausgabedatum: 2009 -03
VDE-Artnr.: 0126025
Ende der Übergangsfrist:
2020-02-10
Die vorliegende Internationale Norm legt die Anforderungen für die Bauarteignung und Bauartzulassung terrestrischer photovoltaischer Dünnschicht-PV-Module fest, die für den Langzeitbetrieb in gemäßigten Freiluftklimaten geeignet sind, wie in IEC 60721 2 1 definiert. Diese Norm ist zur Anwendung für sämtliche terrestrischen ebenen Modulmaterialien vorgesehen, die nicht in IEC 61215 behandelt werden.
Gegenüber DIN EN 61646:1998-03 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Die Hauptänderungen betreffen die Kriterien für Annahme/Rückweisung. Sie beruhen nicht mehr länger auf der Einhaltung eines Plus/Minus-Kriteriums vor und nach jeder Prüfung, sondern vielmehr auf der Einhaltung der Bemessungsleistung nach dem Abschluss aller Prüfungen und nachdem die Module dem Licht ausgesetzt worden sind. Der Grund dafür lag in der Vermeidung technologiespezifischer Vorbehandlungen, die für die exakte Messung der durch die Prüfungen verursachten Veränderungen notwendig sind. (Einige Module lassen im Licht in der Leistung nach, während andere bei dunkler Wärme in der Leistung nachlassen.) Weil alle Module nach der Beanspruchung mit Licht arbeiten müssen, schien dies ein recht guter Ansatz zu sein und wird die Prüfverfahren effektivieren sowie hoffentlich die Prüfkosten senken.
b) Aktualisierung der normativen Verweisungen.
c) Ergänzung des Begriffs "Kleinstwert der maximalen Ausgangsleistung".
d) Änderungen im Wortlaut für größere sichtbare Schäden, um einige Verbiegungen und Fehlausrichtungen ohne Ausfall zuzulassen
e) Ergänzung von Anforderungen für den Bericht nach ISO/IEC 17025.
f) Streichung der "Verwindungsprüfung" wie es bereits in IEC 61215 erfolgte, weil bei dieser Prüfung nicht ein Ausfall aufgetreten ist.
g) Aufstellung der Kriterien für Annahme/Rückweisung für Isolationswiderstand und Kriechstromprüfung unter Benässung in Abhängigkeit von der Modulfläche.
h) Ergänzung der geforderten Messungen um den Temperaturkoeffizienten der Leistung.
i) Modifizierung des Abschnitts für den Temperaturkoeffizienten, damit Messungen unter natürlichem Sonnenlicht oder mit einem Sonnensimulator zugelassen werden können.
j) Streichung des Referenzplattenverfahrens aus der NOCT-Messung.
k) Ergänzung von Abschnitten für Prüfeinrichtungen bei denjenigen Prüfverfahren, die keine entsprechenden Angaben enthalten.
l) Überarbeitung der Hot-Spot-Prüfung.
m) Streichung der Kanten-Tauchmethode aus der Kriechstromprüfung unter Benässung.
n) Änderung der mechanischen Belastungsprüfung auf drei Zyklen, um die Übereinstimmung mit weiteren Normen herzustellen.
o) Ergänzung der Temperaturprüfung der Bypass-Diode.
