Spannungsgrenzen schneller SiGe-Heterobipolartransistoren
Conference: VDE-Kongress 2006 - Innovations for Europe - Fachtagungsberichte der ITG/BMBF - GMM - ETG - GMA - DGBMT
10/23/2006 - 10/25/2006 at Aachen, Deutschland
Proceedings: VDE-Kongress 2006
Pages: 3Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Kasper, Erich; Xu, Hongya; Budaker, Bernhard; Morschbach, Michael (Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart)
Abstract:
Silizium Germanium (SiGe) Heterostrukturen finden zunehmend Eingang in die Si basierte Mikroelektronik, als Stressoren für elastisch verspanntes Si in MOSFETs, als Basis in Heterobipolartransistoren (HBT) oder als integrierte optoelektronische Wellenleiter und Detektoren. Den Durchbruch in der industriellen Herstellung erzwang der Si-Ge-HBT mit seiner rasanten Entwicklung der Frequenzen in den mm- Wellen Bereich. Kommerzielle Hersteller bieten Si- Ge-HBTs mit 125-250GHz Grenzfrequenz an, in der Forschung wurde inzwischen ein halbes Terahertz erreicht (Betrieben bei kryogenen Temperaturen). Die materialtechnischen Grundlagen und Bauelementprinzipien wurden in teilweise weit zurückreichenden Arbeiten erforscht.