Herstellung von TXRF-Kalibrierproben mittels Atomlagenabscheidung (ALD) und Fotolithografie

Abstract:
In diesem Beitrag wird ein Verfahren für die Herstellung von Proben für die Kalibrierung und Funktionsüberwachung von hochgenauen Messgeräten für die Detektion von Spurenelementen, wie sie in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnikfertigung verwendet werden, vorgestellt. Die Beurteilung der Proben erfolgt mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie (TXRF). Die Herstellung erfolgt durch eine ganzflächige Beschichtung von Siliziumwafern mittels Atomlagenabscheidung (ALD) und anschließender Strukturierung mittels Fotolithographie. ALD eignet sich aufgrund des selbstterminierenden Beschichtungsverhaltens besonders gut für eine gleichmäßige Beschichtung ganzer Wafer mit geringen Stoffmengen. Es konnten Proben mit Stoffmengen im Bereich von 1010 Metallatomen pro cm2 hergestellt werden.