Infrarot-Detektoren in "Ge-on-Si"-Technologie für Spektrometer- und Nachtsichtkamera-Anwendungen

Abstract:
Wir stellen in dieser Veröffentlichung ein Infrarot-Sensorsystem auf Basis von "Ge-on-Si"-Detektoren vor. Das funktionsfähige Sensorsystem besteht aus einem Photonikchip mit rückseitiger optischer Einkopplung, ASICs mit Ausleseschaltungen und einem Mikrokontroller mit USB-Datenschnittstelle. Die vorgestellten 64x1 Zeilendetektoren und 10x10 Arrays auf dem Photonkchip besitzen Pixelgrößen von 25 µm. Die Fertigung der Photonikchips erfolgte aus der Kombination von MEMS-, CMOS- und Epitaxieverfahren. Für den Test des Sensorsystems werden für Spektrometer-Anwendungen Zeilendetektoren mit einem rückseitigem Beugungsgitter versehen und spektral vermessen. Für die Prüfung der Nachtsichtkamera wird ein optisches Signal mittels einer bewegten Glasfaser eingestrahlt.