Aktivierungsverfahren für das Niedertemperatur-Silizium-Direkt-Bonden

Abstract:
Das Silizum-Direkt-Bonden hat gegenüber den alternativen waferlevel packaging Methoden immer stärker an Bedeutung gewonnen. Die Vorzüge dieser Verbindungstechnik liegen klar auf der Hand. Es bietet sich die Möglichkeit höchst stabile MEMS ohne Missmatch in thermischen Ausdehnungskoeffizienten oder Elasizitätsmodul zu realisieren. Die chemische Beständigkeit der Verbindungen ist denen des adhäsiven Bondens oder auch dem Verguss auf Chiplevel deutlich überlegen. Die Verfahren sind voll in einen CMOS Prozess integrierbar und bieten bei entsprechender Prozessführung und Technologieanpassung fertigungstaugliche Ausbeuten. Ziel der Untersuchungen war es einen möglichst vollständigen Überblick über die mit den verbreiteten Aktivierungsverfahren für das Niedertemperatur-Silizium-Direktbonden möglichen Bondfestigkeiten zu geben.