Nasschemisches Entfernen dicker SU-8-Schichten aus galvanisch abgeschiedenen Strukturen
Conference: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik - 2. GMM-Workshop
05/10/2010 - 05/11/2010 at Darmstadt, Germany
Proceedings: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik
Pages: 5Language: germanTyp: PDF
Personal VDE Members are entitled to a 10% discount on this title
Authors:
Schlosser, Michael; Staab, Matthias; Schlaak, Helmut F. (Technische Universität Darmstadt, Institut für Elektromechanische Konstruktionen, Merckstraße 25, 64283 Darmstadt, Deutschland)
Abstract:
Photolithographisch hergestellte Lackformen ermöglichen es Metall galvanisch abzuformen. Für Strukturhöhen über 150 µm ist der Photoresist SU-8 verbreitet. Vollständig vernetzter SU-8 weist eine hohe chemische Resistenz auf, die das Entfernen stark erschwert. In dieser Arbeit werden angepasste Prozessparameter vorgestellt, die einen geringeren Vernetzungsgrad des SU-8 erzeugen. Hierdurch ist es nun möglich, SU-8 mit einfachen nasschemischen Methoden wieder zu entfernen. Signifikante Auswirkungen auf den Vernetzungsgrad haben unter anderem Temperatur, Belichtungsdosis und Backzeiten. Das Reduzieren der Temperatur auf 50 °C für 30 min nach der UV-Belichtung resultiert in einer Resistenz gegen den Lackentwickler, ermöglicht aber ein Herauslösen mit dem Lösungsmittel N-Methyl-2-pyrrolidon auch aus schmalen Metallstrukturen.