Variation von nanostrukturiertem Silicium aus DRIE-Tiefenätzprozessen zur Integration in Si-basierte MEMS

Abstract:
Das zyklische, reaktive Tiefenätzen (DRIE) von Silicium erlaubt die Herstellung von nanostrukturierten Siliciumoberflächen (NSi), welche auch als Silicon Grass oder Black Silicon bezeichnet werden. Die Entstehung des NSi im DRIE Prozess wird durch eine Nanomaskierung initiiert, welche auf der Oberfläche des Siliciums erzeugt werden kann. Diese und der sich anschließende Ätzprozess erlauben die gezielte Beeinflussung der sich bildenden Strukturen. Es werden Dichten zwischen 10 µm-2 und 0,78 µm-2 und Strukturhöhen zwischen 0,5 µm und 30 µm erreicht. Weiterhin können die geometrische Gestalt und die Seitenwandrauheit der Strukturen verändert werden. Auf Grund der geometrischen Vielfalt ist es möglich die Nanostruktur für verschiedene Anwendungen anzupassen und auf lithographisch definierten Flächen in MEMS-Systemen zu integrieren.