Modulare Multilevel-Wechselrichter mit MOSFET für Fahrzeugantriebe
Conference: EMA 2008 Elektromobilausstellung - Ausstellung - Fachtagung - Wettbewerbe; Fachtagung
10/10/2008 - 10/11/2008 at Aschaffenburg, Deutschland
Proceedings: EMA 2008 Elektromobilausstellung
Pages: 6Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Lambertz, Lukas; Marquardt, Rainer; Schmitt, Daniel (Universität der Bundeswehr München, Deutschland)
Abstract:
Verbesserte Wirkungsgrade und der resultierende, geringere Kühlungsaufwand sind wichtige Voraussetzungen, um die Leistungselektronik kompakter zu realisieren. Niedrige Nennspannungen (bis ca. 200 V) ermöglichen zudem den Einsatz kostengünstigerer Batterien und eignen sich für MOSFET-Halbleiter. Im vorliegenden Beitrag werden deshalb verschiedene, mögliche Topologien von MOSFET-Wechselrichtern erläutert und hinsichtlich Verlustleistungen, Halbleiteraufwand und Energiespeicheraufwand verglichen. Eine neuartige Topologie (Modularer-Multilevel-Converter „M2C“ mit MOSFET-Halbleitern) wird vorgestellt. Sie ermöglicht es hohe Ausgangsfrequenzen mit gutem Wirkungsgraden / geringen Halbleiterverlusten zu verbinden. Die modulare Bauweise und die Beherrschung von Halbleiterausfällen stellen weitere Vorteile dar.