Ultrakompakte gekrümmte photonische Drähte für monolithisch integrierbare Lichtführung auf III/V-Halbleiter
Conference: Photonische Netze - 7. ITG-Fachtagung
04/27/2006 - 04/28/2006 at Leipzig, Germany
Proceedings: Photonische Netze
Pages: 3Language: germanTyp: PDF
Personal VDE Members are entitled to a 10% discount on this title
Authors:
Schuller, Ch.; Wolf, A.; Höfling, S.; Forchel, A. (Technische Physik, Julius-Maximilians-Universität Würzburg, 97074 Würzburg)
Reithmaier, J. P. (Institut für Nanostrukturtechnik und Analytik, Technische Physik, Universität Kassel, 34109 Kassel)
Etrich, C.; Lederer, F. (Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, 07743 Jena)
Abstract:
Gekrümmte photonische Drähte besitzen aufgrund ihrer kompakten Abmessungen das Potenzial für Schlüsselkomponenten integrierter optischer Schaltkreise. Auf der Basis von AlGaAs/GaAs-Halbleitern wurden verschiedene tiefgeätzte Umlenkgeometrien für eine 90Grad-Richtungsänderung mit Umlenkradien kleiner als 1 µm realisiert. Für eine kreisförmige 90Grad-Krümmung (Viertelkreis) wurde in Übereinstimmung mit Rechnungen nach der 3D-Finite-Difference-Time-Domain-Methode (FDTD) bei einer Drahtbreite von 490 nm und einem Krümmungsradius von 2.0 µm eine Transmission von 99 % (Dämpfung: 0.03 dB) pro Krümmung für Licht der Wellenlänge 1.55 µm erzielt.