Schaltverhalten von Hochleistungshalbleitern in Umrichtern mit verkoppelten Kommutierungskreisen
Conference: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen - ETG-Fachtagung
10/10/2006 - 10/11/2006 at Bad Nauheim, Germany
Proceedings: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen
Pages: 7Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Bakran, Mark M.; Helsper, Martin; Eckel, Hans-Günter; Fleisch, Karl (Siemens AG, A&D LD TD, Vogelweiher Str. 1-15, 90441 Nürnberg, Germany)
Abstract:
Charakteristisch für Umrichtersysteme hoher Leistung ist eine große Anzahl paralleler IGBT-Module die an einem gemeinsamen Zwischenkreis arbeiten. Die IGBT-Phasen sind dabei über ihre gemeinsame Streuinduktivität verkoppelt. In diesem Beitrag werden die Effekte beschrieben, die bei gleichzeitigem sowie fast gleichzeitigem Kommutieren mehrerer IGBT-Module entstehen. Bei diesem Betrieb kann eine erhebliche Belastung des IGBT, aber vor allem der Freilaufdiode auftreten. Es werden Maßnahmen aufgezeigt, um diesen Betrieb zu beherrschen.